داشتن رتبه دوم جهانی در جست جوی نانو ولی.......

طبق داده‌هاي آماري سايت گوگل، كاربران ايراني رتبه دوم جهاني در جست‌وجوي فن‌آوري نانو را در اختيار دارند.

به گزارش سرويس «فن‌آوري» خبرگزاري دانشجويان ايران، تمايل به جست‌وجو در سايت «گوگل» (Google Trends) پارامتري است كه نشان‌دهنده تمايل به جستجو در يك زمينه خاص در اين سايت، نسبت به تمامي جست‌وجوها در همه زمينه‌ها در يك منطقه خاص و در يك بازه زماني خاص مي‌باشد.

اين شاخص در زمينه فن‌آوري نانو و در ايران بدين صورت بررسي شده است و براي اين كار تمام جستجوها در زمينه فن‌آوري نانو در ايران بر كل جستجوها در همه زمينه‌ها در ايران، تقسيم مي‌شود.

بنابراعلام ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، طبق داده‌هاي آماري سايت گوگل، در زمينه فن‌آوري نانو در سال‌هاي 2004، 2005 و 2006 ايران در اين شاخص بعد از هند رتبه دوم جهاني را دارا مي‌باشد.

همچنين تهران در بين شهرهاي دنيا رتبه پنجم را به خود اختصاص داده است

نظر شما چیه !!!!!!!!!!!!!!!

, if the only tool one has is a hammer

every problem can look like a nail

(Abraham MASLOW)

سریعترین ترانزیستور جهان

سریعترین ترانزیستور دنیا ساخته شد

ترانزیستور جدیدی ساخته شده است که مرز 600 گیگاهرتز را شکسته و رکورد جدید 604 گیگاهرتز را بجای گذاشته است.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از سایت http://www.ComeToNet.com و به نقل از پی سی پرو، محققینی که روی این طرح کار کرده اند میگویند که ترانزیستورهای تراهرتزی (terahertz) هم در راه هستند. رکورد قبلی این سرعت در اختیار ژآپنیها بود که روی 560 گیگاهرتز کار میکرد.
این ترانزیستورهای جدید بجای بهره گیری از سیلیکون، با ایندیوم فسفاید (indium phosphide) و ایندیوم گالیوم آرسناید ( indium gallium arsenide) ساخته میشوند. این مواد با هم ترکیب میشوند تا یک ماده سه لایه ایجاد شود که پایه ترانزیستورهای دوقطبی (bipolar) را تشکیل میدهد. هر ترانزیستور از سه قسمت ساخته میشود که عبارتند از امیتر، بیس و کلکتور. تیم طراح میگوید که ساختار کلکتور را با افزودن ایندیوم، کریستاله میکنند تا هتروجانکشن سودومورفیک (pseudomorphic heterojunction) درست شود. این پیوند اجازه میدهد تا الکترونها آزادانه تر بین دو لایه حرکت کنند که در نتیجه این عمل، سرعت بالا حاصل میشود.
میلتون فینچ پروفسور مهندسی برق و کامپیوتر هولونیاک در ایلینویز که این مطالب را عنوان نمود اضافه کرد که هنوز چند سالی با ارائه نمونه عملی این ترانزیستورها به بازار فاصله داریم زیرا قیمتی که برای این نمونه تنظیم شده است 100 برابر ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون است هرچند که انتظار میرود با تولید انبوه، این هزینه تا 90 درصد کاهش یابد. یکی از نقاط ضعف این مواد جدید آنستکه بشدت نیرو مصرف میکنند که باعث میشود تا نتوان آنها را در میکروپروسسورها کنار هم قرار داد.

 

لایه نشانی

سیستم لایه نشانی اسپاترینگ RF طراحی و ساخته شد

سیستم لایه نشانی DC & RF اسپاترینگ، برای اولین بار در کشور، توسط پژوهشگران جهاد دانشگاهی واحد

صنعتی شریف طراحی و ساخته شد. به گزارش گروه حوزه و دانشگاه "مهر" این سیستم که به همت متخصصان

 مرکز فناوری خلاء بالای جهاد دانشگاهی واحد صنعتی شریف، طراحی و ساخته شده است، در ایجاد لایه های

 نازک در لایه نشانی های مواد رسانا و دی الکتریک به روش کندوپاس (اسپاترینگ) کاربرد دارد. مهندس کلهر،

عضو هیات علمی جهاد دانشگاهی واحد صنعتی شریف در این خصوص گفت: سیستم های اسپاترینگ به منظور

لایه نشانی و ساخت لایه های نازک تحت خلاء استفاده شده و در ساخت انواع حسگرها و ابر رسانایی، نانو-

تکنولوژی و لایه برداری (etching) در سطح اتمی و همچنین در تمیز کاری سطوح و قطعات بوسیله پلاسما بکار

می روند. وی با بیان اینکه با ساخت این سیستم هفتاد درصد صرفه جویی ارزی خواهیم داشت، افزود: دست یابی

 به دانش فنی مذکور تاثیر بسزایی در توسعه فضای تحقیقاتی کشور داشته و گامی در جهت استقلال و خود -

کفایی محسوب می شود. این پژوهشگر، درباره مکانیزم این سیستم اظهار داشت: سیستم اسپاترینگ یا

کندوپاش بر اساس ایجاد محیط پلاسمای گاز یونیزه شده بی اثر و دریک محفظه خلا با فشار حدود 10 میلی بار

کار می کند و مهمترین مزیت آن کنده شدن اتمها یا مولکولهای ماده لایه نشانی در دمای کمتر از دمای ذوب می

 باشد. وی ادامه داد: برای ساخت سیستم لایه نشانی DC & RF، ابتدا سیستم DC مگنترون اسپاترینگ با قطر

هدف 3 اینچ طراحی و ساخته شد، سپس به منظور توسعه این طرح، سیستم به RF اسپاترینگ مجهز شد.

مهندس کلهر خاطر نشان کرد: سیستم های اسپارتینگ DC صرفا برای لایه گذاری مواد رسانا مانند فلزات، قابل

استفاده می باشند و در صورت تزریق گاز فعال، می توان ترکیب گاز فعال با فلز را نیز لایه گذاری نمود اما با بکار

گیری سیستم RF اسپاترینگ می توان انواع مواد رسانا و دی الکتریک را لایه گذاری نمود. وی در خاتمه یاد آور شد:

 حداکثر توان علمی این سیستم، بیش از 650 وات بوده و برای مواد معمولی با نرخ A/S 30 می تواند لایه نشانی

 کند و دارای ایمنی لازم برای سیستم و کاربر می باشد. گفتنی است، این سیستم توسط پژوهشگران جهاد

دانشگاهی واحد صنعتی شریف در آزمایشگاه الکترونیک نوری دانشگاه تربیت مدرس راه اندازی شده و در حال

بهره برداری است.

ترانزیستور نامریی

ترانزيستورهاي نامريي طراحي شدند

محققان ترانزيستورهاي نامريي فوق مدرن طراحي كردند كه استراتژي‌هاي جديدي را براي ايجاد شفافيت الكترونيكي فراهم مي‌كنند.

به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از ایسنا، ترانزيستورهاي جديد طراحي شده با هزينه‌ي ارزان در ساخت شيشه و پلاستيك استفاده مي‌شوند و كيفيت ديد بالايي را در شيشه‌هاي جلوي ماشين، عينك‌هاي محافظ و تابلوي اعلانات ايجاد مي‌كنند.

مدل‌هاي جديد بدون سيم‌هاي قابل مشاهده طراحي شدند كه از هر دو قابليت نامريي بودن و كارايي سطح بالا برخوردارند.

به گفته‌ي محققان ترانزيستورهاي نامريي فوق مدرن طراحي شده استراتژي‌هاي جديدي را براي ايجاد شفافيت الكترونيكي فراهم مي‌كند، به طوري كه مي‌توان انواع متنوعي از كاربردها مانند نمايش معلق متن يا تصوير در فضا را كه قبلا امكان‌پذير نبودند، براي آن‌ها متصور شد.

  

عناوين مرتبط

1- اينتل نخستين پردازنده مجهز به يك ميليارد ترانزيستور را عرضه كرد یک شنبه,4 آبان 1384
2- IBM با استفاده از ژرمانيوم كارايي ترانزيستورهاي خود را سه برابر كرد شنبه,18 آذر 1383
3- ترانزيستور ترکيبى تازه حاصل پيوند ليزر و الکترونيک ساخته شد. چهارشنبه,8 آذر 1383
4- در ژاپن ترانزيستورى به نازکى فيلم دوربين ساخته شد دوشنبه,6 آذر 1383
5- 100 ترانزيستور در يك گلبول قرمز! شنبه,24 شهريور 1383
6- اينتل اندازه ترانزيستورهاي خود را تا 30 درصد كاهش داد یک شنبه,10 شهريور 1383

دانشمندان ایرانی

سلام و درود فراوان بر تمامی بازدیدکنندگان وبلاگ .

در وبلاگی مطلبی زیبا در مورد فیزیکدانان ایرانی دیدم که با اجازه صاحب وبلاگ و با ذکر منبع آن را در اینجا ذکر می کنم . البته بخش های جالبی را هم خودم به آن اضافه کردم که دیدن آن خالی از لطف نیست .

---

ابتدا به بررسی فیزیکدانان مطرح ایرانی می پردازیم و در ادامه لیست دانشمندان مطرح ایرانیدر ویکیپدیا را ( به نقل از دانشنامه آزاد ویکی پدیا ) را با لینک های مربوطه قرار می دهیم .

 

نام: مهران کاردر-MEHRAN KARDAR

دانشگاه: موسسه فن آوری ماساچوست

گرایش: مکانیک آماری غیر تعادلی

رتبه علمی: Professor of Physics

زمینه تحقیقاتی:

Non-equilibrium collective behavior .رفتارهای غیر تعادلی جمعی مانند آشفتگی ها-نقل و انتقال با ورودیها و خروجی های تصادفی. پدیده شناسی روابطی که بر قوانین تقارن و پایستگی بنا نهاده شده اند.

 Disordered system . بررسي سيستم هاي آشفته و مختل شده.مانند اسپين و ريزش (خرد شدن) شيشه.

 Biologically motivated problems . بررسي  مسائل  مربوط به جهش  زيستي .مانند تكامل گزينش پذيري جهت دار در سلول هاي بصري مغز.

ایشان مدتی در مرکز تحصیلات تکمیلی زنجان استاد مدعو بودند.دکتر رامین گلستانیان تز دکترای خود را با ایشان به طور مشترک با دانشگاه mit گذراندند. برای آگاهی بیشتر از میتوانید از لینک زیر استفاده کنید.

mehran_kardar

 

---

نام: ناصر پیغمبریان -Nasser Peyghambarian

 

 

دانشگاه: آریزونا

گرایش: اپتیک و لیزر

رتبه علمی: Professor of Physics

زمینه تحقیقاتی:

اپتیک کاربردی-فیبر نوری-فیبر های لیزری-مخابرات اپتیکی-بررسی دینامیک پدیده های اپتیکی مواد نیمه رسانا و مواد آلی...و هر پدیده ای که با اپتیک سرو کار داشته یاشد.

پروفسور پیغمبریان دارای مدرک لیسانس ازدانشگاه پهلوی. فوق لیسانس و دکترا از دانشگاه ایندینا (آمریکا) می باشند.ایشان رئیس پژوهشکده فوتونیک و اپتیک در دانشگاه آریزونا هستند.تا کنون چندین مقاله از ایشان در مجله پر اعتبار NATURE  رسيده است.براي آگاهي بيشتر از لينك زير استفاده كنيد:

Peyghambarian

 

---

 نام: مسعود منصوري پور-Masud Mansuripur

 

دانشگاه: آريزونا

گرايش: اپتيك

رتبه علمي:  Professor of Physics

زمينه تحقيقاتي:

نگهداري اطلاعات به صورت اپتيكي-خواص اپتيكي لايه هاي نازك-بررسي نور پلاريزه شده در سيستم هايي كه گشودگي بالايي دارند-سيگنال هاي اپتيكي و....

پروفسور منصوري پور رئيس قسمت نگهداري اپتيكي اطلاعات در پژوهشكده فوتونيك و اپتيك دانشگاه آريزونا مي باشد.وي داراي مدرك ليسانس از دانشگاه آريامهر و فوق ليسانس و دكترا از دانشگاه استنفورد مي باشد. براي آگاهي بيشتر از لينك زير استفاده كنيد:

mansuripur

 

 

---

نام: علی یزدانی-Ali Yazdani

 

دانشگاه: پرینستون

گرایش: ماده چگال

رتبه علمي:  Professor of Physics

زمینه تحقیقاتی:

وی رهبری گروهی به نام  "yazdani group"  را برعهده دارد. آنها در آزمایشگاهی که در دانشگاه پرینستون قرار دارد بر روی ساختار مواد ابر رسانا تحقیقات انجام میدهند. شما میتوانید برای دریافت اطلاعات دقیقتر از لینک زیر استفاده کنید:

yazdani

 

---

نام: کامران وفا-Cumrun Vafa

 

 

 

 دانشگاه: هاروارد

گرایش: فیزیک انرژی های بالا

رتبه علمي:  Professor of Physics

زمینه تحقیقاتی:

 زمینه تحقیقاتی ایشان فیزیک انرژی های بالا و بررسی طبیعت گرانش کوانتومی و رابطه بین هندسه و نظریه میدان کوانتومی است.همچنین ایشان در زمینه نظریه ریسمان و آنتروپی Bekenstein-Hawking نیز تحقیق میکنند.ایشان عضو گروه فیزک انرژی های بالا در دانشگاه هاروارد می باشند. برای آگاهی بیشتر از لینک زیر استفاده کنید:

vafa

---

 

نام: رامین گلستانیان- Ramin Golestanian

 

 

 

 دانشگاه: شفیلدز (انگلستان)

گرایش: فیزیک ماده چگال

رتبه علمي:  Professor of Physics

زمینه تحقیقاتی:

  ماده چگال نرم. نیروهای پراکندگی .کشش بیوپلیمرها.پلی الکترولیتها و ... .ایشان دارای مدرک فوق لیسانس از دانشگاه صنعتی شریف.دکتری از مرکز تحصیلات تکمیلی و پسادکتری از  Kavli Institute برای فیزیک تئوری در سانتا باربارا میباشند.برای آگاهی بیشتر از لینک زیر استفاده کنید:

golestanian

---

برای مشاهده نام مابقی فیزیکدانان ایرانی ( در ویکیپدیا ) بر روی ادامه مطلب کلیک کنید.

ادامه نوشته

بررسي نحوه قرارگيري و اتصال نانوسيمها در فناوري FPNI

عنوان :	بررسي نحوه قرارگيري و اتصال نانوسيمها در فناوري FPNI
تاريخ :	20/01/87

خلاصه

ساختار FPNI (field programmable nanowire interconnect) از خانوادهcmos/nano است، که تعميم يافته CMOL پيشنهاد شده توسط Likharev است، که با قابليت انتخاب ابزارهاي نانو، مي‌تواند فناوري بهبوديافته يک ساختار FPGA با رفع مشکلات وضعيت بيتها و ترکيبات خارج از طرح نيمه‌هادي و جايگزيني آن با سوئيچ‌هاي نامتغير در interconnect‌ها باشد، که اين امر سبب کاهش دو مولفه سطح و توان مصرفي مي‌شود و با افزايش بهره خروجي همراه‌است. اين يک راهبرد جامع براي افزايش بهره خروجي فناوري‌هاي نيمه‌هادي است، به‌طوريکه با جايگذاري يک سطح هوشمند و قابل شکل‌گيري در محل اتصال مي‌تواند تأثير زيادي بر روي عملکرد مدارهاي مجتمع بگذارد و مطابق با قانون moor مبني بر کاهش سطح باشد. گردآوري معيارهاي استاندارد در تراشه FPNI نشان مي‌دهد که کاهش سطح بين 8 تا 25 برابر، کاهش توان، کاهش کم clock rate و همچنين افزايش قدرت تحمل پذيري را خواهيم داشت. با اين وجود نکته قابل بحث در اين ترانزيستورها ساختار، نحوه قرارگيري، وضعيت و موفقيت آميز بودن اتصال نانوسيمها به‌اين ادوات خواهد شد. اين مقاله به‌بررسي نحوه چينش و اتصال نانوسيمها به‌يکديگر و سطح cmos در FPNI مي‌پردازد و آنرا با ساختارCMOL مقايسه مي‌کند.

منابع :

ادامه نوشته

محاسبات کوانتومی

عنوان :	محاسبات کوانتومي: كيوبيت‌ها
تاريخ :	۱۳۸۷/۰۲/۲۱

تبيت‌هاي كوانتومي يا كيوبيت‌هاي معادل كوانتومي رانزيستورهايي‌اند كه رايانه‌هاي امروزي را تشكيل داده‌اند. وجه مشترك تمام كيوبيت‌ها آن است كه مي‌توانند از وضعيتي به وضعيت ديگر سوئيچ شوند تغيير وضعيتي که مي‌توان از آن براي نشان دادن دوتايي (صفر و يك) اطلاعات استفاده نمود. كيوبيت‌ها داراي يكي از چهار نوع ذره كوانتومي فوتون، الكترون، اتم و يون مي‌باشند. فوتون‌ها با يكديگر برهم‌كنش خوبي ندارند، اما مي‌توانند به آساني از نقطه‌اي به نقطه ديگر جابه‌جا شوند و اين خاصيت آنها را به گزينه‌اي مناسب جهت انتقال اطلاعات كوانتومي تبديل مي‌كند؛ الكترون‌ها، اتم‌ها و يون‌ها بر خلاف فوتون‌ها، به آساني با هم برهم‌كنش دارند، اما جابه‌جايي خوبي ندارند و به همين دليل براي پردازش و ذخيره اطلاعات كوانتومي بسيار مناسب مي‌باشند. فوتون‌ها ميدان الكتريكيِ فوتون‌هاي غير قطبي، در صفحه‌اي عمود بر جهت حركت فوتون به ارتعاش درمي‌آيد. اما ميدان‌هاي الكتريكي فوتون‌هاي قطبي، تنها در يكي از چهار جهت داخل صفحه (عمودي، افقي و در جهت دياگونال) مرتعش مي‌شود و اين دو جفت قطبش به ترتيب نشان‌دهنده وضعيت‌هاي صفر و يك هستند. فوتون‌ها را مي‌توان با آينه و فيلترهاي قطبي‌كننده كنترل نمود. اين فيلترها تمام فوتون‌ها به غير از فوتون‌هاي با يك جهت قطبش معين را در خود نگه مي‌دارند. همچنين مي‌توان از چرخه موج يا فاز فوتون‌ها و نيز زمان رسيدن آنها، به جاي كيوبيت استفاده نمود. الكترون‌ها الكترون‌ها داراي دو جهت اسپين بالا و پايين، همانند دوقطب يك آهنربا، مي‌باشند و مي‌توان با استفاده از ميدان‌هاي الكتريكي مغناطيسي يا نوري، آنها را در يكي از اين دو وضعيت قرار داد. همچنين مي‌توان از موقعيت الكترون در يك نقطه كوانتومي براي نمايش يك عدد دوتايي (صفر يا يك) استفاده نمود. اتم‌ها و يون‌ها اتم‌ها و يون‌ها از الكترون‌ها پيچيده‌تر مي‌باشد و به روش‌هاي متعددي مي‌توان از آنها براي نمايش اطلاعات استفاده كرد. يون‌ها؛ در واقع؛ اتم‌هاي باردار هستند كه بار آنها ناشي از دريافت کردن و يا از دست دادن الكترون مي‌باشد. اتم‌ها نيز همانند الكترون‌ها داراي جهت اسپيني هستند كه مي‌توان از آن براي نمايش يك رقم دوتايي در يك كيوبيت استفاده نمود. همچنين از موقعيت الكترون لايه خارجي اتم- در سطح انرژي پايين‌تر يا بالاتر- هم مي‌توان براي نمايش صفر و يك‌ها استفاده نمود. همچنين اتم‌هايي كه به دام انداخته شده و ثابت مي‌شوند داراي ارتعاشات كوانتومي گسسته‌اي خواهند بود كه از آن نيز مي‌توان در كيوبيت‌ها استفاده نمود. نوع چهارم كيوبيت‌هاي‌ اتمي، مبتني بر سطوح فوق ظريف يا ارتعاشات بسيار ريز سطوح اربيتال‌هاي الكتروني است كه حاصل برهم‌كنش‌هاي مغناطيسي بين هسته و الكترون است. كيوبيت‌ها كيوبيت‌ها از ذرات كنترل شده‌اي تشكيل شده‌اند و در واقع ابزارهاي به دام اندازي دارند. اين كيوبيت‌ها چهار نوع مي‌باشند: دام‌هاي يوني، نقاط كوانتومي، ناخالص‌هاي نيمه‌رسانا و مدارهاي ابررسانا. دام‌هاي يوني دام‌هاي يوني براي نگهداشتن هر كدام از يون‌ها از ميدان‌هاي مغناطيسي و يا نوري استفاده مي‌كنند. محققان تاكنون توانسته‌اند شش يون را دريك تك دام يوني نگه دارند. فناوري دام يوني به خوبي جا افتاده و احتمال دارد كه بتوان با استفاده از آن در سطح انبوه به توليد كيوبيت‌ها پرداخت. به دليل باردار بودن يون‌ها، آنها در برابر نويز زيست محيطي آسيب‌پذيري بيشتري نسبت به اتم‌هاي خنثا دارند. نقاط كوانتومي نقاط كوانتومي در واقع بيت‌هايي از مواد نيمه‌رسانا شامل يك يا چند الكترون است. اين نقاط كوانتومي را مي‌توان با الكترون‌هاي منفرد بارگذاري نمود و به آساني آنها را در ابزارها و تجهيزات الكترونيكي جاي داد در عين حال نمونه‌هاي اوليه نقاط كوانتومي تنها در دماهاي فوق‌العاده پايين كار مي‌كنند. ناخالص‌هاي نيمه‌رسانا اتم‌هاي قرار داده شده در مواد نيمه‌رسانا معمولاً ناخالصي يا نقص تراشه‌هاي رايانه‌اي به حساب مي‌آيند. ساخت تراشه خالص بسيار دشوار است و علي‌رغم تمام تلاش‌هاي انجام شده، در هر چند ميليارد اتم نيمه‌رسانا يك اتم ناخواسته وجود خواهد داشت. كيوبيت‌هاي از جنس ناخالصي نيمه‌رسانا، از الكترون موجود در اتم‌هاي فسفر يا ديگر اتم‌هايي كه به طور مصنوعي در ماده نيمه‌رسانا قرار داده شده‌اند استفاده مي‌كنند و حالت اين الكترون‌ها را مي‌توان با استفاده از ليزر يا ميدان الكتريكي كنترل نمود. مدارهاي ابررسانا مدارهاي ابررسانا، مدارهايي الكتريكي هستند كه از مواد ابررسانا تشكيل شده‌اند در اين مواد امكان حركت الكترون‌ها تقريباً بدون هيچ‌گونه مقاومتي در دماي پايين فراهم مي‌شود. اين مدارها به چندين روش مي‌توانند كيوبيت‌ها را تشكل دهند. از جمله اين روش‌ها حرکت جريان الكتريكي است كه مي‌توان آن را در يك لحظه در دوجهت و در يك وضعيت كوانتومي ابرمكاني حرکت داد. الكترون‌ها از طريق ابررسانا با جريان جفت مي‌شوند و ميلياردها از اين جفت‌ها،‌ ماده‌اي را تشكيل مي‌دهند كه وقتي ابررسانا يك شكاف بسيار ريز داشته باشد، به صورت يك ذره زيراتمي بزرگ عمل مي‌كند. وقتي يكي از مدارها، از طريق اتصال Josephson،‌ به منبعي از جفت الكترون‌ها متصل شود، تعداد اين جفت الكترون‌ها تغيير مي‌كند و اين تغيير قابل اندازه‌گيري است. مدارهاي ابررسانا را مي‌توان با استفاده از همان روش‌هاي توليد نيمه‌رسانا ساخت. مزيت اساسي اين روش آن است كه از ميليون‌ها و يا ميلياردها الكترون استفاده مي‌شود و ديگر نيازي به كنترل تك‌تك ذرات نيست. البته عيب اين كار آن است كه انجام آن فقط در دماهاي بسيار پايين امكان‌پذير است. دام‌هاي نوري اتم‌هاي خنثاي به دام افتاده در دام‌هاي نوري، نوع ديگري از كيوبيت‌ها مي‌باشند که به علت قدرت كافي امواج نور در سطح اتمي براي به دام انداختن و كنترل ذرات، از آنها استفاده مي‌شود. كار اين دام‌ها بسيار شبيه آسياب بادي است. اتم‌ها آسيب‌پذيري كمتري در برابر نويز دارند، اما واداشتن آنها به هم‌‌كنش سخت‌تر است.
منابع : http://www.trnmag.com/Stories/2005/121905/HIW_Quantum_computing_121905.html